RN1108FSTPL3 datasheet

Скачать datasheet 04023J0R3ABSTR.pdf Файл формата Pdf (20 страниц, 397,88 kb)

О ДАТАШИТЕ

• Маркировка
  RN1108FSTPL3
• Производитель
  TOSHIBA Semiconductor
• Описание
  TOSHIBA Semiconductor RN1108FSTPL3 Current - Collector (ic) (max): 50mA Current - Collector Cutoff (max): 500nA Dc Current Gain (hfe) (min) @ Ic, Vce: 120 @ 10mA, 5V Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 3-fSM Power - Max: 50mW Resistor - Base (r1) (ohms): 22K Resistor - Emitter Base (r2) (ohms): 47K Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250?µA, 5mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (max): 20V
• Количество страниц
  6 шт.
• Форматы файла
  HTML, PDF

  (Для просмотра требуется Adobe Acrobat Reader)

Скачать datasheet RN1108FSTPL3.pdf
Файл формата Pdf 139,92 KB